IGBT缓冲电路的理解与研究-开题报告-文献综述-参考文献

IGBT缓冲电路的理解与研究-开题报告-文献综述-参考文献(二)

需要注意的是，电容应该选择无感电容；电阻要注意它的功耗，应选择相应的功率电阻；吸收模块的制作要注意绝缘。

缓冲二极管过渡时正向电压降减小是关断时尖峰电压产生的主要原因之一；另外，缓冲二极管逆向恢复时间直接影响到缓冲吸收电路的开关损耗。因此，应该选择过渡正向电压低，逆向恢复时间短、逆向恢复特性较软的二极管，缓冲吸收回路也应直接连接到IGBT相应的端子上。

串联栅极电阻Rg也是相当重要的参数， IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，因此栅极电阻值将对IGBT的动态特性产生极大的影响。数值较小的电阻使栅极电容的充放电较快，从而减小开关时间和开关损耗,同时增强了du/ dt耐量，但与此同时，它只能承受较小的栅极噪声，并导致栅极 —发射极电容,同栅极驱动导线的寄生电感产生振荡问题。所以合理选用Rg是很重要的，在低频应用情况下，开关损耗不成为一个重要问题，可适当提高Rg以保证潜在的振荡问题，一般来说IGBT容量越大，Rg 选用越小。

在当今的工业化的发展中，国家倡导节能、环保等理念，IGBT在节能的方面同样起到了很大的作用，IGBT的使用让节能设备向具有高效率、低功耗和高性能方面的发展。

二、论文提纲

1． IGBT的结构、工作特性和主要参数介绍

1.1 IGBT的结构

1.2 工作原理

1.3 工作特性

1.3.1 静态特性

1.3.2 动态特性

2． IGBT 缓冲电路的作用和目的

3．常用缓冲电路认识与理解

4．缓冲电路应用举例及分析研究

4.1 当IGBT关断时

4.2 当IGBT闭合时

三、参考文献

（10篇以上）

[1] 周志敏．IGBT和IPM及其应用电路[M]．人民邮电出版社，2006．

[2] 吴滔．绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的研究与设计[D]．浙江:浙江大学,2005．

[3] 王宏．IGBT的分析仿真[D]．沈阳: 沈阳工业大学,2009

[4]傅兴华、丁召、杨健．固体电子器件原理简明教程．科学出版社．

[5]刘恩科．半导体物理学[M]．北京：国防工业出版社，2009．

[6]贺益康，潘再平．电力电子技术（第二版）．北京：科学出版社．

[7]张立，赵永健，现代电力电子技术，北京：科学出版社．

[8]田健，郭会军，王华民，大功率IGBT瞬态保护研究。

[9]何秀华，杨景红，大功率IGBT驱动电路的设计。

[10] 廖裕平、陆瑞强编著．Tanner Pro 集成电路设计与布局实战指导[M]。出版社：科学出版社．

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